型号:SI4825DY-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 14 毫欧 @ 11.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 71nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号) |
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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支架 - 元件
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钽
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2917(7343 公制)
CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917
- MS310312S-3S
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CONN RCPT 2 POS POTTING W/SCKT
- SI4831DY-T1-E3
FET - 单
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MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC